Aquesta web utilitza galetes perquè tinguis la millor experiència d'usuari. Si continues navegant estàs donant el teu consentiment per a l'acceptació de les esmentades cookies i l'acceptació de la nostra política de galetes.

2009 Sensor de radiació ionitzant

Dispositiu per mesurar i caracteritzar amb exactitud els efectes de la radioació ionitzant en un circuit microelectrònic.

Investigadors de la UIB han desenvolupat un dispositiu per a la captura i mesura experimental dels efectes transitoris produïts per un SEE (Single Event Effect) en un circuit microelectrònic que pot ser implementat en qualsevol tecnologia CMOS estàndard. Amb aquesta tecnologia és possible verificar el funcionament de dispositius utilitzats en aplicacions que requereixin una alta fiabilitat com pot ser el sector aeronàutic, l'automoció o les comunicacions.

Descripció

S'han desenvolupat nombroses tècniques encaminades a mitigar l'efecte dels SEEs (Single Event Effect), tant en circuits lògics com en memòries amb l'objectiu d'incrementar el temps mitjà entre els errors que presenta el circuit electrònic quan s'opera a l'entorn habitual de funcionament. Es coneixen mètodes per detectar el moment específic en què es produeix un SEU (Single Event Upset) o per mesurar la taxa d'errors a causa del SEEs en circuits treballats en condicions normals d'operació. No obstant això, aquestes tècniques no permeten determinar les característiques elèctriques que han causat el SEU.

Aquest dispositiu possibilita la determinació de les característiques produïdes per un SEE en un node determinat del circuit, com per exemple els transitoris de corrent induïts en el mateix.

Principals avantatges

  • Dispositiu amb una memòria organitzada de forma que permet el funcionament del sistema de manera contínua i sense temps morts
  • Evita retards i senyals no controlats en la lectura de dits transitoris de corrent
  • Avaluació en les mateixes condicions. El mètode usat és de tipus FISO (Fast in, Slow out)

Aspectes innovadors

  • Determinació de les característiques elèctriques que causen un SEU
  • Capacitat de detectar amb precisió els esdeveniments SEU i SET en dispositius microelectrònics
  • Precisió en la caracterització dels SEU i SET
  • Funcionament a través de la mesura dels transitoris de corrent associats

Estat actual

S'han dut a terme simulacions per ordinador del funcionament d'aquest procediment.